InGaAs微光顯微鏡分析,顯微鏡InGaAs分析,宜特檢測
砷化鎵銦微光顯微鏡(InGaAs)
砷化鎵銦微光顯微鏡(InGaAs)與微光顯微鏡(EMMI)其偵測原理相同，主要差異為二者的Detector不同(InGaAs-CCD 與Si-CCD)。當(dāng)半導(dǎo)體制程不斷進(jìn)步，其組件尺寸持續(xù)微縮，相對地操作電壓也會愈來愈低，使電子電洞對復(fù)合產(chǎn)生的光波長愈來愈長，已達(dá)傳統(tǒng)Si-CCD的偵測極限。因InGaAs-CCD對長波長光線具有更高的偵測能力，同時運(yùn)用在背向(back-side)檢驗(yàn)時，無硅基材(Si-substrate)會吸收發(fā)光的干擾問題，已成為診斷**制程組件缺點(diǎn)的利器。
偵測的到亮點(diǎn)之情況：
會產(chǎn)生亮點(diǎn)的缺點(diǎn) - Junction Leakage; Contact spiking; Hot electrons; Latch-Up; Gate oxide defects / Leakage(F-N current); Poly-silicon filaments; Substrate damage; Mechanical damage及Junction Avalanche等。
原來就會有的亮點(diǎn) - Saturated/ Active bipolar transistors; -Saturated MOS/Dynamic CMOS; Forward biased diodes/Reverse biased diodes(break down) 等。
InGaAs 本身有下列幾項(xiàng)功能：
偵測 Defect 的時間,比 EMMI 短 5 ~ 10 倍。
可偵測到 EMMI偵測不到的 Defect (可偵測到微小電流及**制程的 defect)。
愈**的制程愈需要 InGaAs 才能偵測到 Defect 點(diǎn)。
可偵測到較輕微的 Metal bridge 及微小電流 (EMMI 完全偵測不到)。
關(guān)于宜特：
iST始創(chuàng)于1994年的**臺灣，主要以提供集成電路行業(yè)可靠性驗(yàn)證、材料分析、失效分析、無線認(rèn)證等技術(shù)服務(wù)。2002年進(jìn)駐上海，全球已有7座實(shí)驗(yàn)室12個服務(wù)據(jù)點(diǎn)，目前已然成為深具影響力之芯片驗(yàn)證第三方實(shí)驗(yàn)室。
InGaAs微光顯微鏡分析,顯微鏡InGaAs分析,宜特檢測
