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工作壽命實驗(OLT)
IC工作壽命試驗(Operating Life Test)為利用溫度及電壓加速的方法，藉由短時間的試驗來評估IC的在長時間可工作下之壽命，典型的浴缸曲線(Bathtub Curve)分成早夭期(Infant Mortality)及可使用期(Useful Life)和老化期(Wear out)，對于不同區(qū)段的故障率評估皆有其相對應(yīng)的試驗手法。常見的工作壽命試驗方法有：
BI(Burn-in) / ELFR(Early Life Failure Rate)
評估早夭階段的故障率或藉由BI手法降低出貨的早夭率，一般用DPPM(Defect Parts Per-Million)表示。
HTOL(High Temperature Operating Life)
評估可使用期的壽命時間，一般用FIT或MTTF表示。
TDDB(Time dependent Dielectric Breakdown)/HCI(Hot Carrier Injection)/EM(Electromigration)等試驗評估各種材料在老化期的壽命表現(xiàn)。
對于不同的產(chǎn)品屬性也有相對應(yīng)的測試方法及條件，如HTGB(High Temperature Gate Bias) / HTRG(High Temperature Reverse Bias) / BLT(Bias Life Test) / IOL(Intermittent Operation Life)等試驗手法。
上述各項實驗條件均需要施加電源或信號源使得組件進入工作狀態(tài)或穩(wěn)態(tài)，經(jīng)由電壓/溫度及時間的加速因子(Acceleration Factor)交互作用下達到材料老化的效果，并藉由試驗結(jié)果計算出預(yù)估產(chǎn)品的故障率及FIT(Failure In Time)和MTTF(Mean Time To Failure)。
近年來較熱門的議題為IC工作壽命的故障涵蓋率，利用具備深向內(nèi)存的預(yù)燒系統(tǒng)來執(zhí)行IC的工作壽命實驗，使其在固定的試驗時間內(nèi)的提高IC內(nèi)邏輯閘的Toggle Rate，IC的壽命試驗的Fault Coverage提升后可靠度自然也相對提升。
關(guān)于宜特：
iST始創(chuàng)于1994年的中國臺灣，主要以提供集成電路行業(yè)可靠性驗證、材料分析、失效分析、無線認證等技術(shù)服務(wù)。2002年進駐上海，全球現(xiàn)已有7座實驗室12個服務(wù)據(jù)點，目前已然成為深具影響力之芯片驗證第三方實驗室。
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